技術“大拿”三星 高通同時被訴專利侵權

　　[中國家電網(wǎng)]北京時間12月1日消息，據(jù)外媒報道，韓國科學技術院(KAIST)的知識產(chǎn)權管理公司KAIST IP，已于當?shù)貢r間11月29日向美國得克薩斯州聯(lián)邦法院對三星電子美國法人及格羅方德(GlobalFoundries)、高通(Qualcomm)等3家企業(yè)提起專利侵害訴訟，要求對方支付相關半導體技術的專利使用費。

　　KAIST方面稱，以上三家企業(yè)在未經(jīng)許可的情況下擅自使用了首爾大學電氣信息工程系教授李鐘浩(Lee Jong ho)和KAIST共同擁有的半導體制造工藝技術。

　　據(jù)了解，該技術就是被稱為“FinFET”的超小型晶體管，是智能手機處理器的關鍵技術。FinFET技術不僅可以提高半導體的集成程度，還可以在保持穩(wěn)定性能的同時降低電力功耗。

　　目前，該技術已經(jīng)被多家企業(yè)應用在半導體產(chǎn)品中。美國英特爾公司2011年就在產(chǎn)品中使用了FinFET技術，并于2012年通過簽訂合同支付費用的方式正式獲得了特許使用權。

　　據(jù)悉，三星電子和格羅方德、臺灣的TSMC(積電)也以FinFET為基礎制造手機半導體芯片，其中三星電子目前在包括“Galaxy”系列在內(nèi)的10多款手機型號上都在使用FinFET。另外，世界半導體巨頭高通也一直從三星電子和格羅方德那里得到相關產(chǎn)品的供應。

　　“三星通過擅自盜用這項發(fā)明大大降低了開發(fā)時間和成本，不過李鐘浩教授發(fā)明者的地位和相關權益卻沒得到補償。”KAIST方面表示，雖然FinFET開發(fā)當時提出了協(xié)約，但三星電子并沒有接受，在2013年以后開始使用FinFET制造手機半導體后拒絕支付專利使用費。三星方面人士稱，“案件正在訴訟中，因此不便單獨發(fā)表立場。”

　　除了對三星、格羅方德和高通3家企業(yè)提起專利侵害訴訟之外，韓國科學技術院還計劃起訴臺灣半導體制造商臺積電。據(jù)了解，目前專利侵權證據(jù)正在準備當中。(薛奎)